provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Número da peça | APTGFQ25H120T2G |
|---|---|
| Status da Parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | NPT and Fieldstop |
| Configuração | Full Bridge |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Power - Max | 227W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 2.02nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | Yes |
| Temperatura de operação | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | SP2 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SP2 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 130A 735W SP1
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT 1200V 135A 568W SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
Em estoque: 0
