provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Artikelnummer | APTGT200DA60T3AG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 290A |
| Leistung max | 750W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP3 |
| Lieferantengerätepaket | SP3 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
Auf Lager: 30
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3
Auf Lager: 4
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 300A 1050W D3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 280A 890W SP6
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1700V 400A 1250W D3
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT 600V 290A SP3
Auf Lager: 0
