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| Numero di parte | APTGT200DA60T3AG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 290A |
| Potenza - Max | 750W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
Disponibile: 30
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3
Disponibile: 4
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 300A 1050W D3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1200V 280A 890W SP6
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: IGBT 1700V 400A 1250W D3
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOD IGBT 600V 290A SP3
Disponibile: 0
