Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays APTM50AM19STG

Microsemi Corporation APTM50AM19STG

Artikelnummer
APTM50AM19STG
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Produktparameter
Artikelnummer APTM50AM19STG
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Silicon Carbide (SiC)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 170A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V
Leistung max 1250W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP4
Lieferantengerätepaket SP4
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