Artikelnummer | APTM50AM24SCG |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 150A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 434nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 19600pF @ 25V |
Leistung max | 1250W |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP6 |
Lieferantengerätepaket | SP6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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