Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln JAN2N5237S

Microsemi Corporation JAN2N5237S

Artikelnummer
JAN2N5237S
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS NPN 120V 10A TO39
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Produktparameter
Artikelnummer JAN2N5237S
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 120V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 1A, 10A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 5A, 5V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-39 (TO-205AD)
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