Artikelnummer | NTD2955-1G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 55W (Tj) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 6A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | I-Pak |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Auf Lager: 7500