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| Numero di parte | NTD2955-1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Disponibile: 7500
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Disponibile: 0
