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| Artikelnummer | 2SK122800L |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4.5pF @ 5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Mini3-G1 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN
Auf Lager: 0
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3
Auf Lager: 0
