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| Numero de parte | 2SK122800L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4.5pF @ 5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Mini3-G1 |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
En stock: 0
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN
En stock: 0
Fabricante: Panasonic Electronic Components
Descripción: MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3
En stock: 0
