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| Artikelnummer | FJ3P02100L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-PMCP |
| Paket / Fall | 3-SMD, Non-Standard |
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
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