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| Numero di parte | FJ3P02100L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PMCP |
| Pacchetto / caso | 3-SMD, Non-Standard |
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
Disponibile: 0
