Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2ST501T

STMicroelectronics 2ST501T

Artikelnummer
2ST501T
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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  • 10 pcs

    0.65050/pcs
  • 100 pcs

    0.50715/pcs
  • 500 pcs

    0.41895/pcs
  • 1,000 pcs

    0.33075/pcs
Gesamt:0.73000/pcs Unit Price:
0.73000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer 2ST501T
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Leistung max 100W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB
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