Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2ST501T

STMicroelectronics 2ST501T

Numero di parte
2ST501T
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 3472 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.73000/pcs
  • 10 pcs

    0.65050/pcs
  • 100 pcs

    0.50715/pcs
  • 500 pcs

    0.41895/pcs
  • 1,000 pcs

    0.33075/pcs
Totale:0.73000/pcs Unit Price:
0.73000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2ST501T
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Potenza - Max 100W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
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