Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STB34N50DM2AG

STMicroelectronics STB34N50DM2AG

Artikelnummer
STB34N50DM2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTB34N50DM2AG
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C26A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1850pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)190W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs120 mOhm @ 12.5A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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