| Número da peça | STB34N50DM2AG |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | D2PAK |
| Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 500V 26A
Em estoque: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Em estoque: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Em estoque: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Em estoque: 0