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| Artikelnummer | STB45N60DM2AG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 250W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 17A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 38A
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 35A
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
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