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| Numero de parte | STB45N60DM2AG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 34A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 17A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 400V 38A
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 500V 35A
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 34A
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
En stock: 1000
