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| Artikelnummer | STD8N60DM2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 85W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Auf Lager: 20000
