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| Numero di parte | STD8N60DM2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP
Disponibile: 575
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
Disponibile: 1330
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Disponibile: 20000
