Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STW6N120K3

STMicroelectronics STW6N120K3

Artikelnummer
STW6N120K3
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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    (In US-Dollar)
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  • 10 pcs

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    2.52560/pcs
  • 500 pcs

    2.04512/pcs
  • 1,000 pcs

    1.72480/pcs
Gesamt:3.26500/pcs Unit Price:
3.26500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STW6N120K3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Fall TO-247-3
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