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| Artikelnummer | SSM6H19NU,LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.2V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1A, 8V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-UDFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Hersteller: Analog Devices Inc.
Beschreibung: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Auf Lager: 250
Hersteller: Analog Devices Inc.
Beschreibung: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Auf Lager: 9000
Hersteller: Analog Devices Inc.
Beschreibung: IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP
Auf Lager: 35000
Hersteller: Analog Devices Inc.
Beschreibung: EVAL BOARD FOR 24 LEAD LFCSP
Auf Lager: 3
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Auf Lager: 4000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Auf Lager: 4000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Auf Lager: 12000
