Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln TK35A08N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage TK35A08N1,S4X

Artikelnummer
TK35A08N1,S4X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Gesamt:0.58000/pcs Unit Price:
0.58000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer TK35A08N1,S4X
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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