Toshiba Semiconductor and Storage TK35A08N1,S4X

부품 번호: TK35A08N1,S4X
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
무연 여부 / RoHS 준수 여부: Lead free / RoHS Compliant
가족: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

Toshiba Semiconductor and Storage

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재고 있음 205 pcs

참고 가격
(미국 달러화)
1 pcs
0.58000/pcs
50 pcs
0.46510/pcs
100 pcs
0.40695/pcs
500 pcs
0.31559/pcs
1,000 pcs
0.24915/pcs

합계:0.58000/pcs

Unit Price:

0.58000/pcs

목표 주가:

수량:

제품 매개 변수

부품 번호	TK35A08N1,S4X
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 300µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1700pF @ 40V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	30W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-220SIS
패키지 / 케이스	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab