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| Artikelnummer | JAN4N22 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannung - Isolation | 1000VDC |
| Aktueller Übertragungsgrad (Min.) | 25% @ 10mA |
| Aktuelles Übertragungsverhältnis (maximal) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 20µs, 20µs (Max) |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (Max) | 40V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.5V (Max) |
| Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 40mA |
| Vce Sättigung (Max) | 300mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-78-6 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-78-6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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