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| Numero de parte | JAN4N22 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| número de canales | 1 |
| Voltaje - Aislamiento | 1000VDC |
| Ratio de transferencia actual (Min) | 25% @ 10mA |
| Ratio de transferencia actual (máximo) | - |
| Tiempo de encendido / apagado (Tipo) | - |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) | 20µs, 20µs (Max) |
| Tipo de entrada | DC |
| Tipo de salida | Transistor with Base |
| Voltaje - Salida (Máx) | 40V |
| Corriente - Salida / Canal | 50mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.5V (Max) |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 40mA |
| Saturación de Vce (Máx) | 300mV |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-78-6 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-78-6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 0
