Artikelnummer | SI5442DU-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFet Single |
Paket / Fall | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
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