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| Numéro d'article | SI5442DU-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 8V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® ChipFet Single |
| Paquet / cas | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
En stock: 9000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
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