Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln SIHP38N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHP38N60E-GE3

Artikelnummer
SIHP38N60E-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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    2.25657/pcs

  • 1,000 pcs

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Gesamt:3.46500/pcs Unit Price:
3.46500/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer SIHP38N60E-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 183nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 313W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
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