ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SIHP38N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHP38N60E-GE3

部品番号
SIHP38N60E-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    3.46500/pcs
  • 10 pcs

    3.27550/pcs
  • 100 pcs

    2.69330/pcs
  • 500 pcs

    2.25657/pcs
  • 1,000 pcs

    1.96540/pcs
合計:3.46500/pcs Unit Price:
3.46500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 SIHP38N60E-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 43A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 183nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3600pF @ 100V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 313W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 65 mOhm @ 19A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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