Artikelnummer | VS-GB100TH120N |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Half Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 200A |
Leistung max | 833W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: MODULE MTP SWITCH
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: MODULE IGBT SOT-227
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK
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