Numéro d'article | VS-GB100TH120N |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Puissance - Max | 833W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5mA |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / cas | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Package de périphérique fournisseur | Double INT-A-PAK |
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: MODULE MTP SWITCH
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: MODULE IGBT SOT-227
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
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Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK
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