Diodes Incorporated DMP10H4D2S-7

Numero de parte: DMP10H4D2S-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Diodes Incorporated

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Parámetro del producto

Numero de parte	DMP10H4D2S-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	270mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	87pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	380mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 Ohm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3