GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247

Numero de parte: GA10JT12-247
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: TRANS SJT 1.2KV 10A
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

GeneSiC Semiconductor

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
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10 pcs
9.97700/pcs
25 pcs
9.22860/pcs
100 pcs
8.48025/pcs
250 pcs
7.73200/pcs

Total:10.47500/pcs

Unit Price:

10.47500/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	GA10JT12-247
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 10A
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247AB
Paquete / caja	TO-247-3