GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247

Numero di parte: GA10JT12-247
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: TRANS SJT 1.2KV 10A
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

GeneSiC Semiconductor

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In stock 1277 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
10.47500/pcs
10 pcs
9.97700/pcs
25 pcs
9.22860/pcs
100 pcs
8.48025/pcs
250 pcs
7.73200/pcs

Totale:10.47500/pcs

Unit Price:

10.47500/pcs

Etichetta del prezzo:

Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	GA10JT12-247
Stato parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 10A
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AB
Pacchetto / caso	TO-247-3