Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1

Numero de parte: BSC0921NDIATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Infineon Technologies

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Parámetro del producto

Numero de parte	BSC0921NDIATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1025pF @ 15V
Potencia - Max	1W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TISON-8