Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1

Numero di parte: BSC0921NDIATMA1
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Array

Infineon Technologies

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Numero di parte	BSC0921NDIATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1025pF @ 15V
Potenza - Max	1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TISON-8