Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple BSP123E6327T

Infineon Technologies BSP123E6327T

Numero de parte
BSP123E6327T
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Parámetro del producto
Numero de parte BSP123E6327T
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 370mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.79W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 370mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / caja TO-261-4, TO-261AA
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