Numero de parte | BSP122,115 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 550mA (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 1.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 750mA, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
En stock: 0
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
En stock: 1000
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
En stock: 1000
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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