Infineon Technologies IPG20N06S2L35AATMA1

Numero de parte: IPG20N06S2L35AATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

Infineon Technologies

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Numero de parte	IPG20N06S2L35AATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 27µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V
Potencia - Max	65W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-10