Infineon Technologies IPP60R160P6XKSA1

Numero de parte: IPP60R160P6XKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V TO220-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
1.53500/pcs
10 pcs
1.45050/pcs
100 pcs
1.18930/pcs
500 pcs
0.96303/pcs
1,000 pcs
0.81220/pcs

Total:1.53500/pcs

Unit Price:

1.53500/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPP60R160P6XKSA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	23.8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 750µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2080pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 9A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO-220-3
Paquete / caja	TO-220-3