Infineon Technologies IPP60R160P6XKSA1

Número da peça: IPP60R160P6XKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V TO220-3
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1 pcs
1.53500/pcs
10 pcs
1.45050/pcs
100 pcs
1.18930/pcs
500 pcs
0.96303/pcs
1,000 pcs
0.81220/pcs

Total:1.53500/pcs

Unit Price:

1.53500/pcs

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Parâmetro do produto

Número da peça	IPP60R160P6XKSA1
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	23.8A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 750µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2080pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 9A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO-220-3
Pacote / Caso	TO-220-3