provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero de parte | APT40GP60JDQ2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de IGBT | PT |
| Configuración | Single |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 86A |
| Potencia - Max | 284W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 500µA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 4.61nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
En stock: 355
