Artikelnummer | APT40GP60JDQ2 |
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Teilstatus | Not For New Designs |
IGBT-Typ | PT |
Aufbau | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 86A |
Leistung max | 284W |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4.61nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
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