Numero de parte | RJK0454DPB-00#J5 |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 55W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 20A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK |
Paquete / caja | SC-100, SOT-669 |
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
En stock: 0
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
En stock: 0
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
En stock: 0
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
En stock: 0
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 40V LFPAK
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