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| Numero di parte | RJK0454DPB-00#J5 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V LFPAK
Disponibile: 0
