STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Numero de parte: STGWT80H65DFB
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - IGBT - Simple

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
3.75000/pcs
10 pcs
3.38650/pcs
100 pcs
2.80350/pcs
500 pcs
2.44125/pcs
1,000 pcs
2.12625/pcs

Total:3.75000/pcs

Unit Price:

3.75000/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	STGWT80H65DFB
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	Trench Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	650V
Current - Collector (Ic) (Max)	120A
Corriente - colector pulsado (Icm)	240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Potencia - Max	469W
Conmutación de energía	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	414nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	84ns/280ns
Condición de prueba	400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	85ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-3P