STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Numero di parte: STGWT80H65DFB
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - IGBT - Singoli

STMicroelectronics

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In stock 235 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
3.75000/pcs
10 pcs
3.38650/pcs
100 pcs
2.80350/pcs
500 pcs
2.44125/pcs
1,000 pcs
2.12625/pcs

Totale:3.75000/pcs

Unit Price:

3.75000/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	STGWT80H65DFB
Stato parte	Active
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	120A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
Potenza - Max	469W
Cambiare energia	2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	414nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	84ns/280ns
Condizione di test	400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	85ns
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P