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| Numero de parte | SSM6N37FE,LM(T |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 250mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V |
| Potencia - Max | 150mW |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
En stock: 12000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET ARRAY 2N-CH 20V 250MA US6
En stock: 6000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
En stock: 3000
