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| Numero de parte | SSM6N16FUTE85LF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Potencia - Max | 200mW |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | US6 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
En stock: 12000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET ARRAY 2N-CH 20V 250MA US6
En stock: 6000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
En stock: 3000
